Коммерческий выпуск китайской памяти DRAM и NAND начнётся в 2019 году

Китайские производители микроэлектроники уже долгое время пытаются наладить массовый выпуск собственных чипов DRAM и NAND, тем самым отказавшись от услуг небезызвестных лидеров рынка, чья продукция зачастую оказывается слишком дорогой. Однако приступить к коммерчески выгодному производству микросхем памяти, как сообщает тайваньское веб-издание DigiTimes, им удастся только в следующем году.

В качестве примера приводится компания Yangtze Memory Technologies (YMTC). Не так давно ей удалось подписать контракт на 10 тыс. 32-слойныйх микросхем 3D NAND, предназначенных для использования в 8-гигабайтных картах памяти SD. Однако, несмотря на поступление заказов, она пока в силах ежемесячно производить лишь около пяти тысяч кремниевых «вафель» с чипами 3D NAND.

В обозримом будущем YMTC намерена наладить выпуск 64-слойных микросхем флеш-памяти 3D NAND, образцы которых начнут сходить с конвейера ближе к концу этого года. Ожидается, что к 2020 году на её заводах каждый месяц будет выпускаться около 100 тыс. 300-мм кремниевых пластин с данными чипами, а после запуска всех трёх строящихся фабрик это число вырастет в 3,5-4 раза (до 350-400 тыс. пластин).

Китайские производители памяти DRAM в лице Fujian Jinhua Integrated Circuit и Innotron Memory тоже планируют приступить к коммерческому выпуску только в следующем году.

Первая намеревается запустить производство микросхем ОЗУ по технологии первого поколения, разработанной совместно с United Microelectronics Corporation, ближе к концу 2018 года. Правда, ещё неясно как повлияют на ранее составленный график патентные споры с Micron Technology. Справедливо отметить, что в них пока выигрывают китайские чипмейкеры, добившиеся временного запрета на продажу микросхем DRAM и NAND производства Micron на территории Поднебесной.

Что касается Innotron Memory, то она, по сообщению источника, уже приступила к пробному выпуску 8-гигабитных чипов LPDDR4, применяемых в мобильных устройствах. Ранее компания представила инженерные образцы 19-нм микросхем DDR4 ёмкостью 8 Гбит и рассчитывает наладить их массовое производство в первой половине следующего года.