Новое :

Память Toshiba XL-Flash составит конкуренцию 3D XPoint

Конференция Flash Memory Summit, проходящая с 7 по 9 августа в городе Санта–Клара, принесла с собой несколько интересных анонсов. В начале недели китайская фирма Yangtze Memory Technologies рассказала о своей инновационной технологи Xtacking, которая подразумевает создание микросхем флэш-памяти с использованием двух полупроводниковых пластин. Следующие новости пришли уже от одного из лидеров полупроводниковой индустрии — компании Toshiba (подразделение Toshiba Memory на 60% принадлежит консорциуму K.K. Pangea и на 40% самой Toshiba Corporation — прим. авт.).

Во время выступления представители Toshiba рассказали о своей разработке под названием XL-Flash. Она представляет собой развитие многослойной BiCS 3D NAND памяти и обладает на порядок меньшими задержками чтения и записи (говорится о снижении задержек чтения в 10 раз по сравнению с существующей BiCS 3D TLC NAND), а также лучшей масштабируемостью. Кроме того, Toshiba обещает рост количества операций ввода-вывода в секунду (IOPS) и улучшение производительности на низкой глубине очереди (low queue depths).

NAND Architecture - Planes and Die

NAND Architecture - Planes and Die


XL-Flash в настоящее время базируется на технологии SLC (Single-Level-Cell), хотя Toshiba планирует в будущем создавать версии на MLC (Multi-Level-Cell). Новая память использует более короткие битовые (bit line) и словарные строки (word line) по сравнению с текущими реализациями NAND, но при этом имеет увеличенное количество плоскостей (planes).

NAND Architecture - Planes and Die


По своим характеристикам Toshiba XL-Flash будет похожа на память 3D XPoint от Intel и Micron, а также на Z-NAND от Samsung. В компании не называют сроков выхода и ориентировочной цены устройств на базе новой памяти, но с уверенностью можно предположить, что первоначально XL-Flash найдет применение в корпоративном секторе.